按照《建设项目环境影响评价信息公开机制方案》（环发[2015]162号）文件要求，现将高端半导体芯片掩模版研发中心项目相关情况公示如下：
项目名称：高端半导体芯片掩模版研发中心项目
建设地点：珠海市高新区金鼎片区金鼎中路东、金瑞二路北侧
建设单位：珠海市龙图光罩科技有限公司
项目概况：
项目总投资3320万元，主要从事65-130nm工艺节点芯片掩模版及其关键技术的研究，并开展掩模版制造技术的基础与理论研究，进一步提高公司的研发能力和自主创新能力。
全本公示稿如附件所示：
链接：https://pan.baidu.com/s/1lYQRvSQQpnnXeZruP-yULw
提取码：1234
